Onsemi NVMJS2D5N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 164 A 113 W, 8-Pin LFPAK8
About The : ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
onsemi NVMJS2D5N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 164 A 113 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMJS2D5N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 164 A 113 W, 8-Pin LFPAK8
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Specifications of Onsemi NVMJS2D5N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 164 A 113 W, 8-Pin LFPAK8 | |
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