Onsemi NVMYS025N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A 24 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
onsemi NVMYS025N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A 24 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 43 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMYS025N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A 24 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
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Specifications of Onsemi NVMYS025N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A 24 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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