Nexperia PMXB75UPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,9 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215
About The : 950 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1V, Gate-Schwellenspannung min
Nexperia PMXB75UPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,9 A 8330 mW, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215, Dauer-Drainstrom max.: -2,9 A, Drain-Source-Spannung max.: –20 V, Drain-Source-Widerstand max.: 950 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1V, Gate-Schwellenspannung min.: -0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 8 V, Höhe: 0.36mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PMXB75UPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,9 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215
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Specifications of Nexperia PMXB75UPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,9 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215 | |
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