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Vishay TrenchFET SQ2318AES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23

About The 5V.: 0,036 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SQ2318AES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0,036 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

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Vishay TrenchFET SQ2318AES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay TrenchFET SQ2318AES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23

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Vishay TrenchFET SQ2318AES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23
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