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NXP Pin-Diode Für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin

About The : 1.55µs, Durchlassspannung max

NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin, Anwendung: Dämpfungsglied, Switch, Ladungsträgerlebensdauer: 1.55µs, Durchlassspannung max.: 1.1V, Montage-Typ: SMD, Diodenkapazität max.: 0.35pF, Reihenwiderstand max. @ max. IF: 1.35 Ω@ 100 mA, Abmessungen: 1.8 x 1.35 x 1.05mm, Länge: 1.8mm, MPN: BAP64-03,115

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NXP Pin-Diode Für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin

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Specifications of NXP Pin-Diode Für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin

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NXP Pin-Diode Für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin
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RS PRO Polypropylen Schubladenmagazin Schwarz, 4 Einschübe, 629mm x 391mm x 390mm

RS PRO Polypropylen Schubladenmagazin Schwarz, 4 Einschübe, 629mm x 391mm x 390mm

RS PRO Polypropylen Schubladenmagazin Schwarz, 4 Einschübe, 629mm x 391mm x 390mm, Transparenter Einschübe: Ja, Kipp-Einschübe: Nein.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Zugang & Aufbewahrung und Materialhandhabung
  • Aufbewahrung und Regale
  • Schubladensysteme
  • RS PRO
    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 470Ω ±5% / 2W

    RS PRO Kohleschicht Widerstand 470Ω ±5% / 2W

    : +155°C, Temperaturkoeffizient: -500 → +350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C.RS PRO Kohleschicht Widerstand 470Ω ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • RS PRO
    • STMicroelectronics 4kbit Serieller EEPROM-Speicher, Serial-Microwire Interface, SOIC, 200ns SMD 512 x 8 bit, 512 x

    STMicroelectronics 4kbit Serieller EEPROM-Speicher, Serial-Microwire Interface, SOIC, 200ns SMD 512 x 8 bit, 512 x

    : 1,8 V, Arbeitsspannnung max.5mm, Automobilstandard: AEC-Q100, Datenerhalt: 100Jahr, Betriebstemperatur max.

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  • Speicherbausteine
  • EEPROMs
  • STMicroelectronics
    • STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

    STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.4mm, Betriebstemperatur max.

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  • STMicroelectronics
    • STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

    STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

    STMicroelectronics MDmesh M2 STP5N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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