Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 MW, 8-Pin PowerPAK 1212-8
About The Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 mW, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 mW, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 115 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.04mm, Länge: 3.05mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 MW, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Specifications of Vishay SI7309DN-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3.9 A 3200 MW, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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