Infineon HEXFET IRL2910PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: +175 °C
Infineon HEXFET IRL2910PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRL2910PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon HEXFET IRL2910PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin TO-220AB | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
