Infineon OptiMOS P3 BSZ180P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,6 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Infineon OptiMOS P3 BSZ180P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,6 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,018 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.1V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P3 BSZ180P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,6 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Specifications of Infineon OptiMOS P3 BSZ180P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,6 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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