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Infineon OptiMOS-T2 IPG20N04S4L08AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

About The 2V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,0082 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS-T2 IPG20N04S4L08AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0082 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon OptiMOS-T2 IPG20N04S4L08AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Specifications of Infineon OptiMOS-T2 IPG20N04S4L08AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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