ROHM R6520ENJ R6520ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-263S
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.4mm, Betriebstemperatur max
ROHM R6520ENJ R6520ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-263S, Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6520ENJ R6520ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-263S
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Specifications of ROHM R6520ENJ R6520ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 20 A 231 W, 3-Pin TO-263S | |
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