Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 6 A 1,5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 6 A 1,5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 6 A 1,5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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