Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 30 A, 5-Pin ThinPAK 5 X 6
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Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 30 A, 5-Pin ThinPAK 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,36 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 30 A, 5-Pin ThinPAK 5 X 6
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Specifications of Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 30 A, 5-Pin ThinPAK 5 X 6 | |
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