TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz
About The 5mm, Gleichstromwiderstand max.8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max
TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 100mΩ, Resonanzfrequenz max.: 13.8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 7, MPN: MLG1005S1N0CT000
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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz
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Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz | |
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