Infineon CoolMOS C6 IPP60R099C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220
About The Infineon CoolMOS C6 IPP60R099C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon CoolMOS C6 IPP60R099C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS C6 IPP60R099C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon CoolMOS C6 IPP60R099C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220 | |
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