onsemi NTP067N NTP067N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,067 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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Onsemi NTP067N NTP067N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Onsemi NTP067N NTP067N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220 | |
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