Infineon OptiMOS 2 BSD235NH6327XTSA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363
About The 7V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: 1
Infineon OptiMOS 2 BSD235NH6327XTSA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 BSD235NH6327XTSA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSD235NH6327XTSA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
