Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,03 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJ211ELP-T1_GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33,6 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |