IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V Max., 1200 V 2,1 KW, 11-Pin SimBus F N-Kanal
About The , 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal, Konfiguration: Dual, Montage-Typ: PCB-Montage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 152 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: –40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF
IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal, Konfiguration: Dual, Montage-Typ: PCB-Montage, Transistor-Konfiguration: Serie, Abmessungen: 152 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: MIXA450PF1200TSF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V Max., 1200 V 2,1 KW, 11-Pin SimBus F N-Kanal
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Specifications of IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V Max., 1200 V 2,1 KW, 11-Pin SimBus F N-Kanal | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
