Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,
About The .: 0,0135 Ω (Kanal 2), 0,048 Ω (Kanal 1), 0,06 Ω (Kanal 3), Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,, Gehäusegröße: Dreifach-Matrize, Pinanzahl: 10, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0135 Ω (Kanal 2), 0,048 Ω (Kanal 1), 0,06 Ω (Kanal 3), Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 (Channel 1) V, 2.5 (Channel 2) V, 3.5 (Channel 3) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5 (Channel 1) V, 1.5 (Channel 2) V, 2.5 (Channel 3) V, Verlustleistung max.: 48 W, 48 W, 60 W., Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W,
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Specifications of Vishay SQUN702E-T1_GE3 NPN-Kanal 3, SMD MOSFET 200 V (Kanal 3), 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 30 A, 30 A, 20 A 48 W, | |
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