Onsemi QFET FQU5P20TU P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -30 V, +30 V, Länge: 6
onsemi QFET FQU5P20TU P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQU5P20TU P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi QFET FQU5P20TU P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
