Infineon HEXFET IRFB4710PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 3,8 W, 3-Pin TO-220AB
About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: +175 °C
Infineon HEXFET IRFB4710PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 3,8 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFB4710PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 3,8 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET IRFB4710PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 3,8 W, 3-Pin TO-220AB | |
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