Onsemi SuperFET II FCD600N60Z N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7,4 A 89 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi SuperFET II FCD600N60Z N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7,4 A 89 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi SuperFET II FCD600N60Z N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7,4 A 89 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi SuperFET II FCD600N60Z N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7,4 A 89 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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