IXYS HiperFET, X2-Class IXFH34N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V
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IXYS HiperFET, X2-Class IXFH34N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, X2-Class IXFH34N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247 | |
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