Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8
About The Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C
Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8
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Specifications of Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8 | |
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