Vishay SiSF20DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
About The 4mm, Betriebstemperatur max.: 18 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay SiSF20DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD, Drain-Source-Widerstand max.: 18 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiSF20DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
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Specifications of Vishay SiSF20DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD | |
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