Microchip TN2106 TN2106N3-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
About The 08mm, Betriebstemperatur max.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Microchip TN2106 TN2106N3-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Microchip TN2106 TN2106N3-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
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Specifications of Microchip TN2106 TN2106N3-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 300 MA 740 MW, 3-Pin TO-92 | |
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