STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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