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Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 319,2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

About The 38mJ, Gate-Kapazität: 1950pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IKW50N60DTPXKSA1

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 319,2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 30kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Nennleistung: 2.38mJ, Gate-Kapazität: 1950pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IKW50N60DTPXKSA1

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Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 319,2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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Specifications of Infineon IGBT / 80 A ±20V Max., 600 V 319,2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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