ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 230 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 230 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of ROHM RD3P130SP RD3P130SPTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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