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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
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IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

About The 25mm, Betriebstemperatur max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 25.25mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

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Specifications of IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

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Rating :- 9.58 /10
Votes :- 10
RALTRON Quarz, ±50ppm, HC-49-US SMD, 2-Pin, Oberflächenmontage, 12 x 4.8 x 4.6mm

RALTRON Quarz, ±50ppm, HC-49-US SMD, 2-Pin, Oberflächenmontage, 12 x 4.8 x 4.6mm

8mm, Frequenz-Toleranz: ±30ppm, Reihenwiderstand: 130Ω, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Quarze & Oszillatoren und Resonatoren
  • Quarz-Oszillatoren
  • RALTRON
    • Eaton Zenerbarriere 2-kanalig Strom Strom 20 → 35V dc ATEX 93mA max.

    Eaton Zenerbarriere 2-kanalig Strom Strom 20 → 35V dc ATEX 93mA max.

    : +60°C, Betriebstemperatur min.28V Isolierter Treiber, Barrierentyp: Trennbarriere, Betriebstemperatur max.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Relais und Signalaufbereitung
  • Signalwandler und -isolatoren
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  • Eaton
    • RS PRO Netzkabel, 3-adrig Typ 3183Y Weiß x 1 mm /Ø 7.1mm 10 A, 100m, 500 V, PVC

    RS PRO Netzkabel, 3-adrig Typ 3183Y Weiß x 1 mm /Ø 7.1mm 10 A, 100m, 500 V, PVC

    RS PRO Netzkabel, 3-adrig Typ 3183Y Weiß x 1 mm /Ø 7.1mm 10 A, 100m, 500 V, PVC, Europaweit harmonisierter Code: H05VV-F, Litzentyp: Litze, AWG: 17 AWG, Leitermaterial: Kupfer, Leiterwiderstand: 19,5 Ω/km, Aderlitzen: 32/0.2 mm.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • RS PRO
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • Vishay
    • Eaton Bussmann Series FUSE, TIME DELAY, MICRO, 5A, 250V

    Eaton Bussmann Series FUSE, TIME DELAY, MICRO, 5A, 250V

    Eaton Bussmann Series FUSE, TIME DELAY, MICRO, 5A, 250V, MPN: SR-5-5A-BK.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
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  • Nicht-rückstellende Sicherungen
  • Eaton Bussmann Series
    • U Group Enjoy Herren Sweatshirt, 100 % Polyester Grau, Größe XL

    U Group Enjoy Herren Sweatshirt, 100 % Polyester Grau, Größe XL

    U Group Enjoy Herren Sweatshirt, 100 % Polyester Grau, Größe XL, Kleidungsart: Arbeits-Sweatshirt, Größe EUR: 110 → 118cm, MPN: EY041GM-XL.

  • PSA & Sicherheit & Test und IT
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  • U Group
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.: +155°C, MPN: CRCW0402130RFKED.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Vishay
    • IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

    IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

    8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 25.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.063W ±100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW0402130RFKED.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 130Ω ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

    IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T550N055T2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

    8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +175 °C.25mm, Betriebstemperatur max.

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