Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 19 A 4,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4
Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 19 A 4,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 19 A 4,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay SIR462DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 19 A 4,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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