Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1., 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay E SIHD6N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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