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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Steckverbinder
Drahtanschlussklemmen & Spleiße
Spleißsteckverbinder
3M

3M Connector; Inline; 0.125 In. (Max.) (Insulation Dia.)

About The 3M Connector; Inline; 0.125 in

3M Connector; Inline; 0.125 in. (Max.) (Insulation Dia.), MPN: U1R

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3M Connector; Inline; 0.125 In. (Max.) (Insulation Dia.)

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Specifications of 3M Connector; Inline; 0.125 In. (Max.) (Insulation Dia.)

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Steckverbinder
Drahtanschlussklemmen & Spleiße

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RS PRO Inconel Thermoelement Typ K, Ø 0.5mm x 500mm -40°C → +750°C

RS PRO Inconel Thermoelement Typ K, Ø 0.5mm x 500mm -40°C → +750°C

5mm x 500mm -40°C → +750°C, Anschlussart: Kabel, Kabellänge: 100mm, Erfüllte Normen: ANSI.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Thermoelemente
  • RS PRO
    • Dehn DG Überspannungsschutz Modul, Ableiter Typ 2 40kA 275 V, DIN-Schienen Montage, 54 x 66 x 90mm, -40°C→+80°C

    Dehn DG Überspannungsschutz Modul, Ableiter Typ 2 40kA 275 V, DIN-Schienen Montage, 54 x 66 x 90mm, -40°C→+80°C

    Dehn DG Überspannungsschutz Modul, Ableiter Typ 2 40kA 275 V, DIN-Schienen Montage, 54 x 66 x 90mm, -40°C→+80°C, Suppressor Typ: Arrester Typ 2, Länge: 54mm, Tiefe: 66mm, MPN: DG M TNC 275 FM.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Überspannungsschutz-Komponenten
  • Überspannungsschutz Einheiten
  • Dehn
    • TE Connectivity HSC100 Wickel Lastwiderstand 4.7Ω ±5% / 100W, Alu Gehäuse Lötanschluss

    TE Connectivity HSC100 Wickel Lastwiderstand 4.7Ω ±5% / 100W, Alu Gehäuse Lötanschluss

    : +50ppm/°C, MPN: HSC1004R7J.: -50ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Widerstände für Chassismontage
  • TE Connectivity
    • onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : +150 °C.onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    onsemi QFET FQD19N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15,6 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : +150 °C.6mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi