Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB
About The .: 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.01mm, Länge: 10.41mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 MW, 3-Pin TO-220AB | |
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