Infineon HEXFET IRF7854TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The : 13,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4
Infineon HEXFET IRF7854TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 1.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7854TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7854TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 10 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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