Onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The : 2.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTMS4177PR2G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi NTMS4177PG P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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