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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi NTMFS NTMFS5C612NT1G-TE N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 A, 5-Pin DFN5

About The onsemi NTMFS NTMFS5C612NT1G-TE N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 A, 5-Pin DFN5, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

onsemi NTMFS NTMFS5C612NT1G-TE N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 A, 5-Pin DFN5, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0016 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Onsemi NTMFS NTMFS5C612NT1G-TE N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 230 A, 5-Pin DFN5

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Noga Entgrater-Satz zur Innen- und Aussenentgratung

Noga Entgrater-Satz zur Innen- und Aussenentgratung

Noga Entgrater-Satz zur Innen- und Aussenentgratung, MPN: SP7700.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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    • onsemi NTP NTP082N65S3HF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220

    onsemi NTP NTP082N65S3HF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220

    : 0,082 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.onsemi NTP NTP082N65S3HF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.

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    • DiodesZetex SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 6A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    DiodesZetex SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 6A, 3-Pin DPAK (TO-252), Maximaler Spannungsabfall: 850mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 80A, MPN: SBR6200CTL-13.

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    • Wurth Elektronik WR-WTB Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 2-polig / 1-reihig Gerade, SMD für 620x0113722,

    Wurth Elektronik WR-WTB Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 2-polig / 1-reihig Gerade, SMD für 620x0113722,

    8mm, Breite: 6.51mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 620002113322.Wurth Elektronik WR-WTB Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 2-polig / 1-reihig Gerade, SMD für 620x0113722,, Zur Verwendung mit: 620x0113722, Vorvercrimpter Kontakt CON-WTB, Länge: 5.

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  • Wurth Elektronik
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