reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
Induktivitäten
SMD-Induktivität
EPCOS

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 4,7 μH 800mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 40MHz

About The 5mm / ±10%, 40MHz, Tiefe: 3.: 220mΩ, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, MPN: B82432T1472K000

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 4,7 μH 800mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 40MHz, Tiefe: 3.2mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 220mΩ, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, MPN: B82432T1472K000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 4,7 μH 800mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 40MHz

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 4,7 μH 800mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 40MHz

Category
Instockinstock

Last Updated

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 4,7 μH 800mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 40MHz
More Varieties

Rating :- 9.08 /10
Votes :- 8