Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 MW, 6-Pin UF6
About The : ±10 V, Höhe: 0.7mm
Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6, Drain-Source-Widerstand max.: 66 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±10 V, Höhe: 0.7mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 MW, 6-Pin UF6
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Specifications of Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 MW, 6-Pin UF6 | |
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