Infineon IPD80R360P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 360 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
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Infineon IPD80R360P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon IPD80R360P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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