Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The 25mm, Betriebstemperatur max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 A 39 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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