Infineon SIPMOS BSS169H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
About The : 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 2
Infineon SIPMOS BSS169H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS BSS169H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon SIPMOS BSS169H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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