Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK
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Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK, Dauer-Drainstrom max.: 20 A (Kanal 1), 60 A (Kanal 2), Gehäusegröße: PowerPAK SO-L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0067 (Channel 2) Ω, 0,016 (Channel 1) Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V, Verlustleistung max.: 27 W (Kanal 1), 48 W (Kanal 2), Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK
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Specifications of Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK | |
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