STMicroelectronics STL10N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 5,5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6 HV
About The .: 660 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics STL10N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 5,5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV, Gehäusegröße: PowerFLAT™, Drain-Source-Widerstand max.: 660 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V, Höhe: 0.95mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STL10N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 5,5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6 HV
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics STL10N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 5,5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6 HV | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
