Infineon HEXFET IRFI540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220
About The : +175 °C.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRFI540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFI540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon HEXFET IRFI540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 20 A 54 W, 3-Pin TO-220 | |
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