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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 500 MA 20V 8-Pin SOIC

About The onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 500 mA 20V 8-Pin SOIC, Topologie: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: NCP5104DR2G

onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 500 mA 20V 8-Pin SOIC, Topologie: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: NCP5104DR2G

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Specifications of Onsemi MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 500 MA 20V 8-Pin SOIC

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Renesas Electronics RL78/G14 (R5F104PJAFB) Target Board MCU mit niedriger Leistungsaufnahme Zielplatinen-Kit

Renesas Electronics RL78/G14 (R5F104PJAFB) Target Board MCU mit niedriger Leistungsaufnahme Zielplatinen-Kit

Renesas Electronics RL78/G14 (R5F104PJAFB) Target Board MCU mit niedriger Leistungsaufnahme Zielplatinen-Kit, MPN: QB-R5F104PJ-TB.

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    • onsemi Logikgatter, 10-Pin, UQFN

    onsemi Logikgatter, 10-Pin, UQFN

    4 x 0.8 x 1.55mm, Länge: 1.: –40 °C, Breite: 1.

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    • Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3

    Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3

    , 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3, MPN: IGB15N60TATMA1.Infineon IGBT / 26 A ±20V max.

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    • Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

    Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

    , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3, MPN: AIGW50N65F5XKSA1.Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max.

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    • Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

    Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

    , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3, MPN: AIGW50N65F5XKSA1.Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max.

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