Onsemi MOSFET NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2.4 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
About The 6V, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, Tensión de diodo directa: 1V.onsemi MOSFET NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2
onsemi MOSFET NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2.4 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 480 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, Tensión de diodo directa: 1V
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Onsemi MOSFET NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2.4 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET NTR4170NT1G, VDSS 30 V, ID 2.4 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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