STMicroelectronics MOSFET STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.STMicroelectronics MOSFET STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines,, config
STMicroelectronics MOSFET STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 15.75mm
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STMicroelectronics MOSFET STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET STP18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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