reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Infineon

Infineon MOSFET IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN De 8 Pines

About The 85mm.35V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1V, Altura: 0

Infineon MOSFET IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1V, Altura: 0.85mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN De 8 Pines

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN De 8 Pines

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN De 8 Pines
More Varieties

Rating :- 9.8 /10
Votes :- 7