STMicroelectronics MOSFET STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 295 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 190 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 4.6mm
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STMicroelectronics MOSFET STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of STMicroelectronics MOSFET STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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